Eşik Gerilimi (VGS(th))
MOSFET'in iletmeye başladığı kapı–source gerilimidir; standart güç tiplerinde tipik olarak 2–4 V, lojik seviye tiplerinde 1–2 V civarındadır. Bu değer iletimin başladığı noktadır, tam iletim için genellikle 10–12 V kapı gerilimi gerekir.
Sık yapılan hata, eşik geriliminin MOSFET'i tam açan gerilim sanılmasıdır. Eşikte kanal yalnızca birkaç miliamper geçirecek kadar açılmıştır. Veri sayfalarında kanal direnci genellikle 10 V kapı gerilimi için verilir; standart bir güç MOSFET'ini 5 V ile sürerseniz direnç çok daha yüksek çıkar ve eleman aşırı ısınır.
Lojik seviye MOSFET'ler bu sorunu çözmek için daha düşük eşikle üretilir ve 4,5–5 V kapı gerilimiyle beyan edilen kanal direncine ulaşır. Doğrudan mikrodenetleyici çıkışıyla sürülen tasarımlarda bu tip tercih edilir.
Eşik geriliminin ikinci özelliği sıcaklıkla düşmesidir; tipik olarak her 100 °C artışta birkaç yüz milivolt azalır. Sıcak bir güç katında MOSFET'in gürültüyle istemsiz iletime geçmesi bu yüzden daha kolaydır. Tasarımlarda kapı ile source arasına konan pull-down direnci ve düşük empedanslı sürüş, bu istemsiz açılmayı engellemek içindir.
Bu terimin kullanıldığı bağlam: DC Motor Sürücü Seçim Rehberi