P-Kanal Koruma MOSFET'i (P-Channel Protection FET)
Ters polarite korumasını seri diyoda göre çok daha düşük kayıpla sağlayan yöntemdir. MOSFET artı hatta seri bağlanır, kapısı şasi tarafına çekilir; doğru polaritede iletime geçer, ters bağlantıda kapanır. Kayıp diyot düşümü yerine kanal direncine indirgenir.
Kayıp farkı belirgindir: 5 miliohm kanal direncine sahip bir MOSFET 30 A'de yaklaşık 4,5 W üretirken, aynı akımda seri diyot 18 W mertebesinde ısı çıkarır. Aradaki fark hem soğutma ihtiyacını hem gerilim düşümünü ortadan kaldırır.
Tasarımın kritik noktası kapı-kaynak gerilimidir. Bu değer çoğu MOSFET'te tipik olarak ±20 V ile sınırlıdır. 12 V sistemde kapıyı doğrudan şasiye bağlamak sorun çıkarmaz; ancak 24 V sistemde bu, sınırın aşılması ve MOSFET'in delinmesi demektir.
- Kapı ile kaynak arasına zener diyot konur ve gerilim güvenli seviyede kırpılır.
- Zenere seri bir direnç eklenerek kapı akımı sınırlanır.
- Otomotiv hatlarında görülen transiyentler için giriş tarafında ayrıca TVS koruması bulunmalıdır.
Bu yapı aynı zamanda bir açma-kapama anahtarı olarak da kullanılabilir; ancak MOSFET'in gövde diyodu tek yönde iletken kaldığı için tam yalıtım gerekiyorsa iki MOSFET sırt sırta bağlanır.
Bu terimin kullanıldığı bağlam: DC motor ve sürücü arıza teşhis matrisi