# MOSFET Paralel Bağlama (Paralleling MOSFETs)

> Akım kapasitesini artırmak için birden fazla MOSFET'in aynı anahtar konumunda yan yana kullanılmasıdır. Toplam kanal direnci paralel bağlantı oranında düşer: iki eş MOSFET direnci yarıya, dört tanesi dörtte bire indirir. Simetrik yerleşim ve ayrı kapı dirençleri şarttır.

- **İçerik tipi:** Sözlük
- **Kategori:** DC Motor Sürücüleri
- **Yazar:** AXI Teknoloji Mühendislik Ekibi, Endüstriyel Elektronik
- **Yayın tarihi:** 2026-08-02
- **Sayfa:** https://axiteknoloji.com/sozluk/mosfet-paralel-baglama

## Kısaca

- İki eş MOSFET paralel bağlandığında eşdeğer kanal direnci yarıya iner.
- İletimde paylaşım kendini dengeler, asıl risk anahtarlama anındadır.
- Her elemana ayrı kapı direnci ve simetrik yerleşim gerekir.

Paralel bağlamanın amacı hem akım taşımak hem ısıyı yaymaktır. 10 mΩ'luk iki MOSFET paralel bağlandığında eşdeğer direnç 5 mΩ olur; 30 A'de tek MOSFET 9 W üretirken ikili düzen toplamda 4,5 W üretir ve bu ısı iki kılıfa dağılır.

Ancak paralel bağlama otomatik olarak eşit paylaşım getirmez. İletim sırasında paylaşımı kanal dirençleri belirler ve bu davranış kendini dengeler; direnç sıcaklıkla arttığı için fazla akım çeken eleman ısınır ve akımın bir kısmını komşusuna bırakır.

Asıl risk anahtarlama anındadır. Kapı sinyalleri farklı zamanlarda ulaşırsa, önce açılan MOSFET tüm akımı bir süre tek başına taşır. Bu yüzden her MOSFET'e kendi kapı direnci verilir, kapı yolları eşit uzunlukta çekilir ve source bağlantıları ortak bir noktada birleştirilir. Kullanıcı tarafında bunun anlamı şudur: paralel güç katı, tek elemanlıya göre daha yüksek akım sağlar ve yerleşim kalitesi bu kapasitenin gerçekten kullanılabilmesini belirler.

Bu terimin kullanıldığı bağlam: [DC motor ve sürücü arıza teşhis matrisi](/blog/dc-motor-surucu-ariza-teshis-matrisi)

---

Kaynak: AXI Teknoloji — https://axiteknoloji.com/sozluk/mosfet-paralel-baglama
Son güncelleme: 2026-08-02